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下面附上一則新聞讓大家了解時事

 

 

工商時報【主筆室】

數月前，台積電董事長張忠謀先生批評政府推動「創新」產業，卻未對現有產業提供補助，即使新產業成功，也彌補不了既有產業的衰退，也難以促進經濟成長，更無助於隨著創新而來的所得與分配，而有「創新其實是分配的罪魁禍首」之言。就張董事長的顧慮，我們提供若干論點，嘗試提出創新與就業兩者之間的平衡點。

針對第一個議題，創新產業和既有產業補助的分配而言，關鍵在於科技資源的配置在既有主力產業和創新產業的合適比率。一般言，主力產業的資源配置及補助應占比較高的比例，但會挪出一定比例（如20～30％）的資源進行前瞻性創新，方得以驅動產業創新，並接軌國際的創新潮流。目前政府規劃的「5+2」產業創新計畫，並非針對產業別的補助、獎勵，而係在既有產業（如生技醫療、智慧機械、綠能產業、亞洲．矽谷、循環產業、新農業等）上導入創新元素，以塑造更高的附加價值，驅動經濟成長。如以亞洲．矽谷為例，除了亞洲青年創業中心的目標之外，另一重點目標在於物聯網、智慧城市的應用、規劃，而物聯網中的感應器、智慧平台及軟硬體整合，一旦發展成功，可望對半導體的上中下游（如晶圓代工、製造、封裝測試，乃至IC設計）爭取擴大的商機，故創新資源的配置，帶動產業的創新發展，反而有助於主力產業的加值及嶄新商機。

就第二個議題，創新和就業、分配的關聯性而言，就相對複雜了許多。創新目的在於提高效率、創造更多的附加價值，而附加價值提高，雖然創造若干高階就業機會，但也意味著分工層次的減少，或透過效率的提升替代了不少既有的就業，尤其是若干破壞式的創新，或虛擬替代實體（如網購替代實體消費），雖然帶動嶄新領域的發展，但若干實體、既有領域的就業、營收也會受到衝擊。最近美國風行虛擬、共享精神的新經濟，創造了Uber、Airbnb這些新公司，其破壞性創新的概念確實帶來龐大收益、消費者便利，甚至帶動股市的榮景，但這些獨角獸公司擁有上百億美金的股市市值，但只有創造數百、數千個就業人力，帶動產業的關聯性，對原物料、石油的需求有限，對整體經濟幫助相對不大。舉例而言，以色列有一個名叫We Work的創新公司，租用全球100多棟辦公室大樓，再分割成小單位，分租給小公司，雇用人數也只是數百人，卻已在資本市場上募集了50億美元左右的投資，可見若干創新經濟對實體經濟的影響有限，只有少數人獲利。加上自由貿易協定，使不少藍領階級丟掉工作，美國民眾愈來愈不滿，最後透過選票選出了強調貿易保護、美國就業優先的川普總統。

前述新經濟模式的創新如虛擬、共享等方式，可以炒熱資本市場，或是取代實體經濟，這些都不利分配。反之，若能將創勸敗新導引到實體經濟，創造新的需求、應用，影響層面就相對廣泛。如善用電子業優勢結合交通醫療、智慧城市，或前述物聯網，結合感應器、big data及軟硬整合，可帶動半導體及其周邊產業的發展。或是在傳統產業上加值，如機能性紡織，不僅可提升附加價值率及競爭優勢，更能加速產業升級轉型，如此創新和就業機會、所得提升，就可以有效調和。

再者，國外的智慧健康、智慧交通都是很好的模範，台灣可以朝向將智慧化科技導入照護服務，如根據外在的環境數據及使用者健康資料，提供每日穿著、飲食、生活型態建議，或是當偵測到使用者身體狀況數據異常時，便可預約諮詢服務等，創造新的需求與應用。促成創新、服務應用的結合，也使創新得以擴散應用，帶動更多就業機會。

除此之外，台灣致力於推動生物科技，但目前只造就了新藥及資本市場的活絡。如能導入醫療器材、農業科技，乃至食品安全等領域，使其基盤擴大，則就業創造及高薪機會也會增加，民眾才會有感。

另一方面，經濟學理論在在告訴我們，一個政策工具不可能同時追求二、三個以上的政策首選目標。創新的目的在於提高生產力，帶動附加價值及吸引投資，提升產業與國家競爭力。至於所得的公平分配，則必須仰賴財政政策（如富人稅的提高，地下經濟輔導地上化等），以及福利政策（如中低收入的補助等）等，切勿將創新和所得分配做太多連結。否則，就如同一雙手，想要同時端五、六個盤子，恐怕會左支右絀，疲於奔命，最終將宣告失敗。
 

 

 

工商時報【涂志豪】

由於全球記憶體廠自2015年以降，並無投入高額鉅資擴建新晶圓廠的動作，因此，雖然近年來在個人電腦、智慧型手機等終端應用銷售動能趨緩，不過，因內建的DRAM或NAND Flash搭載容量持續提升，也讓2016年下半年記憶體市場出現缺貨壓力，而2017年看來記憶體仍將缺很大，金雞年對記憶體廠來說將是個好年冬。

DRAM價格由2016年中開始起漲，至2016年底價格已創一年來新高，2017年價格續漲趨勢明確，對DRAM廠南亞科、華邦電來說，營收及獲利將具成長動能。至於包括創見、威剛、宇瞻、品安等模組廠來說，獲利成長動能強勁。

根據集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange統計，受惠於全球智慧型手機出貨成長，及DRAM搭載量不斷攀升，2016年第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型DRAM的產出，轉為行動式與伺服器DRAM。在供應逐漸吃緊下，第三季開始標準型DRAM價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別記憶體的價格上揚。

2016年第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Galaxy Note 7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7後來於第四季停產，但第三季的備貨仍有助DRAM消化量與價格的上揚，標準型DRAM也因出貨比預期更佳，加上筆電搭載高容量8GB記憶體比重亦持續增加，更讓第四季標準型DRAM合約價季漲幅逾30％，包括三星、SK海力士等韓系業者獲利明顯回升，第三大廠美光則轉虧為盈，台灣業者同樣受惠。

南亞科受惠於標準型DRAM價格持續上漲，加上客戶陸續追加訂單，2016年第三季營收較第二季成長16.7％，但隨著新工廠Fab 3A North完工，2017年上半年將導入20奈米製程，屆時成本有望進一步降低。

平均銷售單價可望大漲

華邦電2016年第三季營收小幅成長7％，除46奈米比重持續提升外，38奈米製程預估最快於第四季正式少量投片生產，此外，由於利基型記憶體第四季起漲價，亦將反映在第四季的營收表現上，2017年則因38奈米製程微縮加快，獲利將見強勁成長動能。

集邦最新研究顯示，展望2017年第一季，受惠於中國農曆新年的備貨需求，及買方普遍認同供貨吃緊仍將持續，標準型4GB DRAM模組均價將往20美元邁進，預估季漲幅約15％，其餘如伺服器、行動式、利基型DRAM等產品價格預估也將同步攀升，呈現淡季不淡的格局。在供給端沒有進一步增加產能的情況下，供貨吃緊的態勢仍將延續，2017年DRAM的平均銷售單價較今年將有可觀的成長。

在NAND Flash市場部分，DRAMeXchange最新調查顯示，受惠於智慧型手機需求強勁，及供給端2D NAND轉進3D NAND所導致的整體產出減少，2016年第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6％，營業利益率也較上季大幅進步。

2016年第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高，廠商的營收與營業利益率也可望再創今年新高。

法人指出，包括華邦電、旺宏等低容量NAND Flash才剛量產，對市場影響不大，但漲價效應下仍有機會受惠。至於國內主要NAND控制IC廠群聯受惠漲價，2016年營收及獲利均創新高，2017年有機會挑戰賺進3個股本。全力衝刺SSD出貨的群聯、威剛、創見等受惠最大。

集邦指出，2016年第四季主流容量用戶級OEM SSD合約均價近一年來首度大漲，採用MLC規格NAND Flash的SSD價格季漲幅達6～10％，採用TLC規格NAND Flash的SSD部分則上漲6～9％。普遍來看，256GB SSD合約價約來到63～66美元左右。

展望2017年第一季，雖然終端產品實際銷售狀況仍保守，但由於非三星陣營的原廠仍處於3D NAND轉換陣痛期，及龍頭廠商持續以提升獲利為主要策略下，預估明年第一季用戶級OEM SSD主流容量合約價仍將持續走升。法人預估均價將達65～70美元。

從用戶級SSD產品介面發展來看，由於大多數OEM大廠從2016下半年起才積極轉進PCIe介面，且通路市場需求仍以SATA III為主，因此SATA III仍是用戶級SSD市場的主流介面規格，PCIe SSD市占率僅2成。然而，隨著PCIe SSD供應商增加，及SSD控制晶片廠推出更具性價比的解決方案後，DRAMeXchange預估2017年PCIe SSD的市場滲透率將有望挑戰30～40％。

3D NAND布局加快

2017年是3D NAND大成長的一年，所以全部的NAND供應商均加快布局。以龍頭大廠三星電子為例，在高容量的eMMC/UFS與eMCP市占率領先同業，企業級固態硬碟（SSD）產品更藉出色性價比出貨強勁，3D NAND良率穩定拉升。2017年NAND Flash仍然缺貨，三星營運表現可望更為出色。

SK海力士3D NAND產能在2016年底前將達每月2～3萬片，第三代3D NAND於2017年第一季放量出貨，第四代的3D NAND有機會在2017年下半開始少量生產。

日本東芝產能規畫部分，現有第二半導體廠已全力生產3D NAND，2016年第四季產能達每月4萬片，待2017年64層堆疊的3D NAND順利量產後，產能提升速度將更快，而其第六半導體廠房新建計畫，將從2017年二月開始動工。

威騰電子（WD）收購SanDisk後，64層堆疊的3D NAND正處OEM下殺客戶測試階段，預計2016年12月起率先使用在卡片及隨身碟等產品上。

現階段15奈米 2D NAND仍為威騰電子主流製程，良率及成本效益都已達最佳化，因此對利潤提升有很大幫助，2017年威騰電子的NAND Flash位元產出成長率預期將達45％。

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